納米顆粒跟蹤分析儀是一種先進(jìn)的儀器，用于對(duì)液體懸浮液中的納米顆粒進(jìn)行粒度分布和濃度分析。是利用光散射和布朗運(yùn)動(dòng)的原理，對(duì)懸浮液中的納米顆粒進(jìn)行追蹤和分析。當(dāng)激光束穿過樣品溶液時(shí)，顆粒會(huì)散射光線，通過高靈敏度的光學(xué)顯微鏡收集這些散射光信號(hào)，并觀察粒子的運(yùn)動(dòng)軌跡?；诓祭蔬\(yùn)動(dòng)理論，利用Stokes-Einstein方程計(jì)算顆粒的流體力學(xué)半徑，從而得到粒度分布信息。納米顆粒跟蹤分析儀常見的問題及對(duì)應(yīng)的解決方法：一、樣品制備相關(guān)問題①問題：樣品濃度過高或過低。表現(xiàn)：如果樣品濃度過高，...

納米粒度電位儀是一種在科研和工業(yè)領(lǐng)域廣泛使用的精密物理測(cè)量工具，能夠準(zhǔn)確測(cè)量納米級(jí)別的顆粒大小和電位變化。其基于電學(xué)和納米技術(shù)的結(jié)合，通過電泳和沉降原理來測(cè)量顆粒的大小和電位。在電場(chǎng)作用下，顆粒會(huì)受到電場(chǎng)力的作用而發(fā)生移動(dòng)，其移動(dòng)速度與顆粒的大小、形狀和電荷量有關(guān)。通過測(cè)量顆粒在電場(chǎng)中的移動(dòng)速度，可以推算出顆粒的大小和電位。具體來說，激光散射技術(shù)用于測(cè)量顆粒的尺寸分布，而電泳技術(shù)則用于測(cè)量顆粒的表面電荷性質(zhì)，即Zeta電位。納米粒度電位儀其結(jié)構(gòu)主要包括以下幾個(gè)部分：1、光學(xué)系...

微量熱差示掃描量熱儀是一種先進(jìn)的熱分析儀器，它在材料科學(xué)、化學(xué)、藥物研發(fā)、食品工業(yè)及能源領(lǐng)域等多個(gè)方面發(fā)揮著重要作用。其工作原理基于比較樣品與參比物在相同加熱或冷卻條件下的熱流差異。當(dāng)樣品發(fā)生物理或化學(xué)變化時(shí)，如熔融、結(jié)晶、玻璃化轉(zhuǎn)變等，會(huì)吸收或釋放熱量，導(dǎo)致與參比物的熱流產(chǎn)生偏差。DSC通過精確測(cè)量這種偏差，并將其轉(zhuǎn)化為熱流隨溫度或時(shí)間變化的曲線，從而提供豐富的物質(zhì)信息。以下是關(guān)于微量熱差示掃描量熱儀結(jié)構(gòu)的詳細(xì)說明：一、主要組成部分1、傳感器單元測(cè)溫傳感器：通常采用高精度的...

磨料用SiO2漿料的顆粒粒度對(duì)硅晶片的微觀形貌有直接影響，進(jìn)而會(huì)影響到后續(xù)工序電介質(zhì)膜的均勻性；此外，漿料的穩(wěn)定性也會(huì)影響晶片拋光過程，所以磨料的顆粒表征非常重要，本文介紹了利用動(dòng)態(tài)光散射技術(shù)（DLS）和電泳光散射技術(shù)（ELS）對(duì)硅基漿料的顆粒粒度和Zeta電位進(jìn)行表征的實(shí)驗(yàn)及結(jié)果討論。01丨背景介紹磨料漿液用于去除硅晶片表面的材料和不規(guī)則形貌。這樣做是為了在硅片表面形成附加電路元件。晶片的微觀形貌與所用漿料的粒度分布有關(guān)，因?yàn)榱６葧?huì)影響隨后加工的電介質(zhì)膜的均勻性[1]。漿料...

激光粒度分布儀是一種集光、機(jī)、電、計(jì)算機(jī)為一體的高科技產(chǎn)品，工作原理基于光散射原理。當(dāng)激光照射到顆粒上時(shí)，會(huì)產(chǎn)生衍射和散射現(xiàn)象。不同粒徑的顆粒會(huì)產(chǎn)生不同的散射光分布，通過檢測(cè)這些散射光的分布，可以反推出顆粒的粒徑分布。具體來說，激光粒度分布儀通過收集和分析散射光的信號(hào)，來確定顆粒的大小分布。通常由激光器、樣品池、光學(xué)系統(tǒng)、探測(cè)器和數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)等部分組成。激光器發(fā)出的激光經(jīng)過光學(xué)系統(tǒng)聚焦后，照射到樣品池中的顆粒上。顆粒散射的光被光學(xué)系統(tǒng)收集，并聚焦到探測(cè)器上。探測(cè)器將光信號(hào)轉(zhuǎn)換...